聊城高頻IGBT直流電源-科億維電氣

輻擾(30MHz—1GHz)是通過空間并以電磁波的特性和規律傳播的。但不是任何裝置都能輻射電磁波的。

傳導干擾(150K--30MHz)是沿著導體傳播的干擾。所以傳導干擾的傳播要求在干擾源和之間有一完整的電路連接。

EMI是指產品的對外電磁干擾。一般情況下分為Class A & Class B 兩個等級。 Class A為工業等級，Class B為民用等級。

有時候電壓不平衡是由于算出的匝數不為整數造成的，如半匝，當然半匝是有辦法繞的，但半匝的繞法也是很危險的（可參考其他資料），這時我們可以通過二極管的壓降來調整，如12V用7匝，5V用3匝，如果發現12V偏高，則12V借用5V的3匝，但剩下的4匝的起點從5V輸出的整流管后面連接，則12V的整流管的壓降為兩組輸出整流管的壓降和，如：0.5（5V）+0.7（12V）=1.2V，另外12V輸出負載變化時，其電流必然引起5V整流管的壓降變化，也就是5V輸出變化，而5V的變化會通過反饋調整，這樣也間接控制了12V。

簡單寫寫幾條:

1、元件焊接要仔細，高頻IGBT直流電源供應商，不能發生虛焊，虛焊非常要命，而且不容易看出來.方向不能焊反，尤其是二極管的方向.我曾經焊錯式整流二極管的方向，濰坊高頻IGBT直流電源，直接導致濾波電解電容加了反壓，很危險.

2、如果調試中需要飛線，而且是來回信號線，要把去線和回線絞在一起.因為如果去線和回線，形成包圍面積的話，就相當于一個天線，很容易串入干擾.

3、母線供電不僅要有大的濾波電容，而且要有高頻濾波電容.直流電源輸出時候的濾波也是一樣.

直流電源系統項目:UC3845正激現象:兩個管子關斷之后，DS所承受的電壓非常懸殊，檢測高頻IGBT直流電源，并非理論上的各自一半.猜測是 MOS的參數不一致導致，高頻IGBT直流電源采購，把上下管焊下來，交換位置，結果，還是一樣.看來和MOS無關.